半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法
楼盘背景图
该类目坐落在长三边形中南部某一个国家一级半导体行业品牌各园,客户首要生孩子8寸大和12寸大晶圆,日产尼桑量具备2万片。因为生产力量提拔,本身的废水外理工艺外理系统的已无非具备环境让,急缺加剧改装。工程项目总注资约1200万元,设计制作外理力量为300吨/日,于202一年建设完工投入运营。
电镀废水材质及来源于
该厂家晶圆片区多种工序产生的废气首要包涵下面的化学成分:
切整个过程中食用的精磨液残留物物,主要的含量为二空气氧化硅小粒、外层抗逆性剂和有机质生成剂
晶圆从表面的洗涤有的含氟废液,氟铁离子浓硫酸浓度在80-120mg/L
多量天价属铝离子如铜、镍等,来源地于割孔软件损坏
生产萃取剂杂质,涵盖异丙醇、异丙醇等
pH值动荡过大,大部分在4-10内
工作艺程序流程
面向电镀废水属性,的设计采用了"化学预治疗+生化学治疗+深度的治疗"的组合公式工艺设备:
调节器池
:均衡性水污染储水量,布置pH免费在线监控站和电脑自动加量平台
混凝土沉定
:加药PAC和PAM,剔除浮窗物和橡胶胶体部分有机物
气浮单元式
:主要包括溶气气浮鑫霖环保进两步剔除不起眼颗料和一些巧妙物
生物化学治理
:通过MBR膜生物体的流化床反应器,废水浓硫酸浓度稳定在8000-10000mg/L
深度1解决
:生物炭溶解+反固化施工工艺,为了保证出水出水未达标
污泥干化处理
:板框带式压滤机脱水烘干,飞灰含水量率降低60%如下
进行处理治疗效果
平台增强正常运作后,溢水水的质量彻底高于《光学工业生产水造成的挥发性有机物污染物基准》(GB39731-2020)非常污染物标准值追求:
COD<30mg/L
氟阴阳离子<5mg/L
悬浮按钮物<10mg/L
高价属几项的指标均压低允许值
项目流程几乎每年可缩减感染物废气量约COD 32吨、氟化物8.5吨,造纸废水处理水率满足75%这些,为的企业大大节省水电费开支约1二十万元/年。